竹叶状GaN纳米带的制备

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【摘要】

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为了制备GAN纳米带,用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中1 000℃下常压通氨气进行氨化.在氨气气氛中ZnO在高温下挥发,

【作者】

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高海永庄惠照薛成山王书运董志华何建廷

【机构】

：

山东师范大学物理与电子科学学院

【出处】

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电子元件与材料

【发表日期】

：

2004年9期

【关键词】

：

半导体材料 GAN纳米带氨化挥发 ZnO/Ga2O3膜 semiconductor materials GaN nanostrips ammoniation

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为了制备GAN纳米带,用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中1 000℃下常压通氨气进行氨化.在氨气气氛中ZnO在高温下挥发,借助于ZnO挥发的帮助,Ga2O3与NH3反应自组装生成GaN纳米带.XRD分析结果表明GaN纳米带为六方纤锌矿结构,利用SEM观测GaN纳米带具有竹叶状形貌,PL谱测量发现了位于370 nm处和460 nm处的室温光致发光峰.

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