急冷Al-Si-Ge合金超导电性的研究

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本文研究了热处理对急冷Al-8.3at%Si-8.5at%Ge合金的微观结构及超导电性的影响。结构分析表明,液态淬火的样品由两相组成:过饱和α-Al(Si,Ge)固溶体基体和Al,Si,Ge的非晶球体,后者在基体中相互连接,构成连续通路。经过100℃/50h热处理后,非晶球体尺寸缩小,不再构成连续通路,并在其中析出弥散的Si(Ge)微晶。热处理后的样品的电阻-温度及电阻-磁场转变曲线上均出现两次正常-超导转变。它可以用样品中存在两个超导相的模型予以解释。 In this paper, the effect of heat treatment on the microstructure and superconductivity of quenched Al-8.3at% Si-8.5at% Ge alloy has been investigated. Structural analysis shows that the liquid quenched sample is composed of two phases: supersaturated α-Al (Si, Ge) solid solution matrix and Al, Si, Ge amorphous spheres, which are interconnected in the matrix to form a continuous path. After 100 ℃ / 50h heat treatment, the size of the amorphous sphere is reduced, no continuous path is formed, and dispersed Si (Ge) crystallites are precipitated therein. The heat-treated samples showed two normal-superconducting transitions on the resistance-temperature and resistance-field transition curves. It can be explained by the existence of two superconducting phases in the sample.
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