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AgSnO2触头材料中Ag具有良好的导电性，SnO2具有较高的热稳定性。但是，SnO2是一种宽禁带半导体，近乎绝缘，使得AgSnO2触头材料的电阻较大。通过对SnO2进行掺杂，使SnO2由绝缘改性为导电，能有效改善AgSnO2的电性能。采用第一性原理研究了稀土元素La、Ce、Nd掺杂后的电子结构，对纯SnO2和掺杂SnO2的晶体结构、能带结构、态密度进行了分析对比。晶格数据表明，稀土元素掺杂SnO2引起的晶格畸变与掺杂原子的共价半径大小有关。能带结构表明，稀土掺杂可使SnO2的导带向低能端移动，带隙变窄，