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利用射频磁控溅射方法在宝石衬底上制备了非晶态碲化汞（HgTe）薄膜材料,以He-Ne激光器（hv=1.96 eV,λ=632.8 nm）作为激励光源,在80～300 K温度范围内,研究了非晶态HgTe薄膜的暗电导σd、稳态光电导σp以及光敏性σp/σd的特性,分析了载流子的导电和复合机制。实验发现,在80～300 K温度范围内,非晶态HgTe薄膜的暗电导和稳定态光电导均具有热激活特性。暗电导存在2个温区：在低温区（80 K≤T≤180 K）,激活能约15 meV;在高温区（180 K〈T≤300 K）,激