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介绍了由带尾纤的InGaAs／InP雪崩光电二极管建立的近红外单光子探测系统．使用带宽50GHz的数字采样示波器，首次直观地展现了门模式（即盖革模式）工作状态下，单光子探测的模式和过程．并且在波长分别为1310和1550nm的情况下进行了定量研究．在1550nm，工作温度203K条件下，该探测器达到了暗计数概率2．4×10^-3每门，量子效率52％，50kHz的门信号重复频率；在工作温度为238K时，相应参数分别为8．5×10^-3，43％和200kHz．