【摘 要】
：
为解决多金属矿石的传统分析方法中样品前处理冗长复杂，Mo的线性范围窄、不能与Cu、Pb、Zn同时测定的缺点，通过考察溶样体系、仪器工作条件、干扰及消除，建立电感耦合等离子体发射光谱（ICP-OES）同时测定了Cu、Pb、Zn、Mo四种元素的方法。结果表明，方法测定范围较宽（0.001%～20.0%），各元素校准曲线线性相关系数均在0.999 5以上，检出限为5.00～9.00μg/g。用国家标准物
【基金项目】
：
中国地质调查局地质调查项目（12120100400150017-37,12120100400160901-62,12120100400172201-51）；
论文部分内容阅读
为解决多金属矿石的传统分析方法中样品前处理冗长复杂，Mo的线性范围窄、不能与Cu、Pb、Zn同时测定的缺点，通过考察溶样体系、仪器工作条件、干扰及消除，建立电感耦合等离子体发射光谱（ICP-OES）同时测定了Cu、Pb、Zn、Mo四种元素的方法。结果表明，方法测定范围较宽（0.001%～20.0%），各元素校准曲线线性相关系数均在0.999 5以上，检出限为5.00～9.00μg/g。用国家标准物质进行验证，方法精密度（RSD,n=12）为0.020%～5.0%，相对误差为-4.61%～4.17%，加标回收率为88.0%～108%。实际样品的测定结果与传统方法一致，方法适合大批量、多成分分析。
其他文献
近年来西安的文化创意产业发展态势迅猛,已经成为中国文化产业的生力军和西北地区文化产业的“领头羊”。西安的文化创意产业立足丰厚的文化资源,利用数量巨大的文化遗产,走出了一条在“保护中开发、开发中创新、创新中创造”的文化创意产业发展之路。体量丰、级别高的文化遗产是西安的精神之魂,也是西安贯彻新的发展理念、推进供给侧改革、进行产业结构优化升级、实现文化创意产业繁荣发展的资源基础。在文化创意产业发展中,西
通过水热炭化方法 （HTC） 制备纤维类生物质炭材料，是当前废弃生物质高值化处理的一种方式。生物质具有种类繁多，结构复杂的特点，在不同的水热条件下涉及水解、降解、聚合等复杂反应。制备的水热炭性质如形貌，孔结构，表面官能团分布等受原料物理化学结构和水热反应条件影响较大，而水热炭的性质直接影响水热炭的应用。木质素炭化需要较高的水热强度，生成的水热炭石墨化程度和稳定性更高，可应用于导电、耐高温材料等领域
中国共产党在一百年的非凡奋斗历程中，形成了井冈山精神、长征精神等伟大精神，构筑起了中国共产党人的精神谱系。伟大精神不仅蕴藏着我们党从哪里来的精神密码，也标示着我们党走向何方的精神路标。我们要大力弘扬伟大精神，将传承伟大精神与学习知识产权发展史相结合,与当下知识产权工作相结合,与知识产权工作未来的发展相结合,以实际行动迎接党的二十大胜利召开。
随着中国的互联网日益普及,电子商务的发展速度己逐步进入平缓期,人口红利渐渐消失,导致商家获取客流量的成本不断提高,市场竞争越来越激烈。要在激烈的竞争中获取市场份额,就需要不断优化营销策略。而近年来各种社交平台的崛起正在改变消费者的消费习惯和购买决策路径,为电子商务企业带来新机遇的同时,也带来了新的挑战。在此背景下,黄小姐品牌内衣作为一家成立近10年的传统电子商务企业,如何通过网络营销策略的重新选择
劳动教育包含价值观教育与促进实践发展的双重目的内涵，力求实现劳动观念、劳动能力、劳动精神的知行合一，不仅关系到个体的生活与生长也关系到社会的发展进步。学校劳动教育离不开家长的积极支持和主动参与。在这一过程中，家庭作为学生学习、生活的主要环境，家长作为孩子所在家庭的重要构成成员，可以通过多种路径参与到学校劳动教育之中。
电影是视听结合的艺术，不可避免地会通过视觉来感染观众。本文以电影《秘密访客》为例，从电影氛围的营造和权力关系的映射两个角度展开分析，对影片中光影的叙事性设计进行解读，探究光影设计对影片叙事起到的多重作用，进而分析这一创作手法的风格特征与价值内涵。
＜正＞2017年4月,习近平总书记视察广西时强调,要建设好北部湾港口,打造好向海经济,写好新世纪海上丝绸之路新篇章。打造好向海经济是习近平总书记为新时代广西经济发展提出的新方向和新思路。在"一带一路"倡议深入推进、RCEP签署并将付诸实施以及国家构建双循环新发展格局的大背景下,向海经济发展要立足于新时代西部大开发、西部陆海新通道,推动沿海与内陆互动、国内与国外结合,加快湘桂向海经济走廊建设,探索向
针对SOI COMS电路稳态寿命试验后输入漏电流超标开展失效分析，分别对异常掉电致击穿、离子沾污、内部气氛不佳、芯片外表面污染、静电放电（ESD）等因素进行排查分析。定位电路失效原因为ESD防护用具状态不佳，导致试验过程中产生的ESD使电路输入端口二极管发生栅氧击穿。通过ESD测试设备模拟和原试验过程模拟2种方式，对失效模式进行复现验证。结果表明：SOI CMOS电路在试验过程中，即使试验员按要求