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在一定条件下SF6气体氛围中,硅可在飞秒激光辐照区产生微米量级的尖峰结构。退火后用ALD在微构造硅表面上沉积50nm的Zn O：Al电极,背面镀上Al电极形成二极管,测试二极管的光吸收特性及I-V特性。研究表明微构造硅二极管在宽波段范围内有明显增强的光吸收。在整个测量范围（250nm到2500nm）可以达到0.85以上,并且光吸收随着尖峰高度的增加而增加。通过测量微构造硅二极管的I-V特性曲线,发现微构造硅二极管存在良好的整流特性,可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。