不同基材上Co掺杂CdSe薄膜电极的制备及光电催化性能

来源 :化学反应工程与工艺 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mcl19800627
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采用脉冲电流沉积法制备了负载于氧化锡铟(ITO)导电玻璃、不锈钢板、镍板和铜板等不同基材上的Co掺杂CdSe薄膜电极,利用紫外可见漫反射和交流阻抗实验测试了Co掺杂CdSe薄膜电极的性能,并以对硝基苯酚降解来评价该薄膜的光电催化性能。结果表明:基材的种类对Co掺杂CdSe薄膜电极的性能影响较大,其催化降解对硝基苯酚的活性由大到小依次为:镍板,不锈钢板,ITO导电玻璃。对硝基苯酚光电催化降解反应为一级反应,以ITO导电玻璃、不锈钢板和镍板为基材的Co-CdSe薄膜光电催化降解对硝基苯酚的表观速率常数分别为0
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