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采用热丝化学气相沉积法，以siH4、NH3、N2作为反应气源，通过改变氮气流量来制备富硅一氮化硅薄膜材料。通过傅里叶红外变换谱、紫外-可见光吸收谱、光致发光谱、扫描电镜分别对薄膜的结构、带隙宽度、发光特性及表面形貌进行表征与分析。实验结果表明，随着氮气流量增加，薄膜中N原子含量减少，镶嵌在氮化硅母质中的硅团簇增大，Si—N键的键密度逐渐减少，薄膜的光学带隙Eg和带尾能EU呈现减小的趋势，薄膜有序度增加，且由氮悬挂键所引起的缺陷态发光峰增强。当氮气流量为30sccm时，Si—N键的非对称伸缩模式和Si—H键