InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测

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【摘要】

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建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统．利用该系统对光．敏面的直径为500岬的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管（APDs）进行测试．测试结果表明，该APD器件在90％击穿电压下的暗电

【作者】

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肖雪芳杨国华归强王国宏马晓宇陈朝陈良惠

【机构】

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中国科学院半导体研究所,厦门大学物理系

【出处】

：

电子科技大学学报

【发表日期】

：

2008年3期

【关键词】

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静态光电特性的自动测试系统雪崩光电二极管大面积APD 倍增因子 auto-measurement system of static optoelectron

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建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统．利用该系统对光．敏面的直径为500岬的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管（APDs）进行测试．测试结果表明，该APD器件在90％击穿电压下的暗电流为151nA，在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好．提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法，只需利用普通的测量电流一电压的测试仪器，就可以获得开始倍增时的光电流，从而得到APD的倍增因子．通过该方法得到的InGaAs／InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10-100量级．

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