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宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体是20世纪末研究最活跃的半导体材料系，其高亮度发光二极管和激光器一出现即以惊人的速度实现了商品化。文章就GaN基半导体激光器的市场需求、蓝宝石基片上生长的氮化镓基激光器的研制和发展概况以及近期研究热点作了扼要介绍。
宽禁带GaN基半导体激光器进展
【摘 要】
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宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体是20世纪末研究最活跃的半导体材料系，其高亮度发光二极管和激光器一出现即以惊人的速度实现了商品化。文章就GaN基半导体激光器的市场需求、蓝宝石
【机 构】
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北京大学物理系介观物理国家重点实验室
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2001年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金!资助项目 (197740 0 8;6 9896 2 6 0 ) ;集成光电子国家重点实验室开放课题
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