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摘要通过对InGaN三元合金的生长方式做对比，发现在相同条件下，因常规生长过程中反应室In的浓度更高，生长出的InGaN中In组分更高。但是由于预反应的原因晶体质量较差，而脉冲生长由于源的分时输运，大幅减小了预反应的发生，提高了晶体质量。但由于生长时反应室In原子浓度变小，In的组分会降低，也会减小In滴的析出。