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通过比较干法和浸没光刻技术在超越焦深（DOF）提高方面的一些主要特点，举例说明了采用浸没式光刻技术的许多优势。浸没式光刻技术同干法光刻技术比较起来改善了关键尺寸一致性（CDU）又避开了必需而强硬的分辨率提高技术（RET）。因此利用浸没式光刻技术能够有效地减少光学邻近校正（OPC）的麻烦。就成像技术而言．我们研究了光刻技术对畸变的敏感性和浸没式光刻技术光源光谱带宽对强光相对曝光量对数E95波动性能的优势。去年已经见证了被认为对浸没光刻技术在批量生产中主要难题的套刻精度、缺陷控制和焦平面精度方面有效的改进。如