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在Baranowski-B櫣tter-Voit（BBV）模型的基础上,考虑了次近邻电子跳跃对PNB（pernigraniline-base）聚合物中带负电孤子和正电孤子能级结构、晶格位形及电荷密度分布的影响.结果表明：逐渐增强的次近邻作用可使两类孤子导带宽度变小,价带宽度变大,电子的跃迁能逐渐增大;孤子的宽度基本不变;负电孤子的电荷密度分布振荡加强,正电孤子的则减弱.初步确定孤子晶格中的次近邻电子跳跃强度β≤0.04.