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合成了孔壁掺磷中孔SiO2（m—PH—SiO2），其BET比表面积为407m^2g^-1，BJH平均孔径为6．1nm。用交流阻抗技术测定了除去游离P2O3的掺磷中孔SiO2在30℃-200℃范围内100％相对湿度下的质子电导，样品导电率随温度升高而升高，在150℃和100％相对湿度下，样品的电导可达3．1×10～S·em^-1，比纯中孑LSiO2（m—SiO2）的电导约高一个数量级，原因是m—PH—SiO2的物理吸附水量为31个分子／nm^2，而m—SiO2只有24个分子／nm^2。