氧等离子体处理条件对poly-SiO2/Si结构平带电压的影响

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：vlee46

【摘要】

：

氧等离子体处理高阻P型、〈100〉硅片上的聚硅烷涂层,制备了SiO2/Si结构.用C-V技术测量其MOS结构平带电压,结果表明平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压和射频功率等条

【作者】

：

向少华谢茂浓张明高廖伟

【机构】

：

怀化学院,四川大学

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2002年2期

【关键词】

：

氧等离子体聚硅烷涂层平带电压 O2 plasma ploysilane coating flat-band voltage

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氧等离子体处理高阻P型、〈100〉硅片上的聚硅烷涂层,制备了SiO2/Si结构.用C-V技术测量其MOS结构平带电压,结果表明平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压和射频功率等条件的改变而变化.平带电压最小可达-0.55～-0.88V,比同一环境热氧化法制备的SiO2/Si结构平带电压小得多.

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