退火温度对纳米PtSi／Si异质结形成的影响

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：aaron722

【摘要】

：

采用XPS、XRD、AFM测试技术,研究退火温度对PtSi/Si异质结薄膜硅化物形成、分布及硅化物薄膜表面形貌的影响.测试结果表明,低温退火,薄膜中相分布顺序为Pt→Pt2Si→PtSi→Si;

【作者】

：

殷景华蔡伟王培林郑玉峰王中李美成赵连城

【机构】

：

哈尔滨工业大学

【出处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2001年5期

【关键词】

：

退火温度 PtSi/Si异质结硅化物薄膜表面形貌红外探测器 annealing temperaturePtSi/Si heterostructuresi

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采用XPS、XRD、AFM测试技术,研究退火温度对PtSi/Si异质结薄膜硅化物形成、分布及硅化物薄膜表面形貌的影响.测试结果表明,低温退火,薄膜中相分布顺序为Pt→Pt2Si→PtSi→Si;高温退火,相分布顺序为Pt→Pt2Si+PtSi→PtSi→Si或Pt+PtzSi+PtSi→PtSi→Si.退火温度高,薄膜中晶粒尺寸大,表面粗糙.

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