Si3N4膜对MOS电容器存储时间影响的研究

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhangyutinglzl

【摘要】

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Si3N4薄膜淀积速率对MOS电容器存储时间影响很大。在850℃下，栅介质SiO2膜厚度100nm，MOS电容器存储时间420s。在50Pa真空压力下，通过淀积70nm厚Si2N4薄膜后，MOS电容器无存储时间

【作者】

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陈忠和许青高燕陈捷

【机构】

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重庆光电技术研究所

【出处】

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半导体光电

【发表日期】

：

2006年3期

【关键词】

：

Si3N4薄膜存储时间退火 Si3N4 film storage time annealing

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Si3N4薄膜淀积速率对MOS电容器存储时间影响很大。在850℃下，栅介质SiO2膜厚度100nm，MOS电容器存储时间420s。在50Pa真空压力下，通过淀积70nm厚Si2N4薄膜后，MOS电容器无存储时间。经900℃O2气氛退火40min，MOS电容器的存储时间也不到2s。采用声7孔径降低气体流速，从而降低淀积速率，在840℃下，栅介质SiO2膜厚度100nm，MOS电容器存储时间420s；在60．71Pa真空压力下，淀积70nm厚Si3N4薄膜后，MOS电容器存储时间曲线不正常，经900℃O2气氛

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