【摘 要】
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为了研究大面积多壁碳纳米管（MWNTs）的光电响应特性,利用剥离技术和旋涂法制备了大面积MWNTs薄膜器件;采用532nm激光作为激励光源,当激光照射薄膜器件不同位置时,测试其光电流
【机 构】
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重庆大学光电工程学院光电技术与系统教育部重点实验室
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为了研究大面积多壁碳纳米管（MWNTs）的光电响应特性,利用剥离技术和旋涂法制备了大面积MWNTs薄膜器件;采用532nm激光作为激励光源,当激光照射薄膜器件不同位置时,测试其光电流和光电压。实验结果表明,激光诱导产生的光电流/电压与光照位置有关,当光照位置在器件两端时,光电流、光电压最大,两端的光电流分别为0.04μA、-0.06μA和光电压分别为0.04mV、-0.06mV;当激光照射在器件几何中心时,光电流、光电压趋于0。分析表明,光热电效应是光电流、电压产生和变化的主要原因。
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