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本文分析了Al和Ni在外加电场作用下诱导非晶硅（a-Si）薄膜横向结晶的特点和机理。对影响非晶硅结晶的诸多因素,如场强、金属种类和退火条件进行了研究。简要概述了金属诱导横向结晶（MILC）相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管（TFT）中的应用。指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但场强超过一临界值后,则降低该速率,并基于电迁移效应较合理地解释了该现象。