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通过对采用0．18μm CMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现，短沟薄栅氧LDD nMOSFET（Lg=0．18μm，Tox=3．2nm）在沟道热载流子（CHC）应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子（DAHC）应力下的器件寿命要短，这与通常认为的DAHC应力（最大衬底电流应力）下器件退化最严重的理论不一致，因此，这种热载流子应力导致的器件退化机理不能用幸运电子模型（LEM）的框架理论来解释，认为这种“非幸运电子模型效应”是由于最大碰撞电离区附近具有高能量的沟道热电子，在S