凌650V系列IGBT获“2014中国年度电子成就奖”

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2014年9月上海英飞凌科技(中国)有限公司宣布其TRENCHSTOPTM5系列IGBT荣膺“2014中国年度电子成就奖”(ACE)之年度最佳功率器件/电压转换器产品奖,TRENCHSTOPTM5 IGBT具备极低的导通和开关损耗,大幅改善了效率及可靠性,提高了功率密度,从而优化了系统成本。同时,全新开发的反并联Rapid快恢复二极管进一 September 2014 Shanghai Infineon Technologies (China) Co., Ltd. announced that its TRENCHSTOPTM5 series of IGBTs have won the “Power of the Year” Award for Power Devices / Voltage Converters of the Year “2014 China Electronic Achievements Award” (ACE) Low conduction and switching losses dramatically improve efficiency and reliability and increase power density to optimize system cost. At the same time, the newly developed Anti-Parallel Rapid Fast Recovery Diode into one
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