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研究了国产SiGe异质结双极晶体管（HBT）^60Coγ射线100Gy（Si）－10kGy（Si）总剂量辐照后的辐照效应及辐照后的退火特性．测试了辐照及退火后的直流电参数．实验结果显示，辐照后基极电流（Ib）明显增大，而集电极电流（Ic）基本不变，表明Ib的增加是电流增益退化的主要原因．退火结果表现为电流增益（β=Ic／Ib）继续衰降，表明SiGeHBT具有“后损伤”效应．对其机理进行了探讨，结果表明其主要原因是室温退火中界面态继续增长引起的．