离子注入制备掺铒富硅氧化硅退火温度对光致发光的影响

来源 :中国激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chen19107

【摘要】

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研究了离子注入掺铒富硅氧化硅材料的光致发光和发光强度随退火温度的变化.在实验中发现,材料在1.54 μm处的发光波形与发光强度均与退火温度有关.在1100℃退火条件,材料形成

【作者】

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张昌盛肖海波林志浪张峰

【机构】

：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束实验室

【出处】

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中国激光

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

离子注入光致发光铒富硅氧化硅

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研究了离子注入掺铒富硅氧化硅材料的光致发光和发光强度随退火温度的变化.在实验中发现,材料在1.54 μm处的发光波形与发光强度均与退火温度有关.在1100℃退火条件,材料形成较好的硅纳米晶,提高了Er的激发和发光效率.在T>100K时,Er发光的温度淬灭与非晶硅的含量有关,1100℃退火样品的温度淬灭效应比较小.

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