泡沫石墨基复合相变材料储热过程的数值研究

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采用数值仿真的方法,对填充单一相变材料(石蜡、Cerrolow-136合金(49%Bi-21%In-18%Pb-12%Sn))和泡沫石墨基复合相变材料的相变温控装置PTCC(Phase change thermal control component)的储热性能进行研究,对比分析两类温控装置对电子发热元件表面温度的控制效果。结果表明:在芯片功率为25 W、工作时长30 min条件下,含泡沫石墨基复合相变材料的PTCC对芯片表面的温度控制比含有单一相变材料的控制温度更低,并且对于芯片到达温度上限(75℃)的
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