基于温度变化的量子阱红外探测器研究

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量子阱红外探测器受到温度、压强等多种因素的影响,本文主要从温度方面进行了研究。在文献[2]的基础上,进一步推导了超晶格中热应变与温度的关系;结合量子阱红外探测器的能级公式以及波长与能级差的关系式,定量地分析了温度变化对量子阱红外探测器探测峰值波长的影响。
其他文献
采用CSMC(华润上华)0.5μmCMOS工艺设计和制备了正向偏置和反向偏置情况下发出两种不同种类光的Si-LED。在室温条件下,对器件进行了初步测试,正向导通电压为0.7V,反向击穿电压