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采用光学相移法,对不同厚度硅基铜膜在特定退火温度(200 ℃)下的应力变化进行了研究.研究表明:膜厚在103～228 nm之间的平均应力和应力差的变化比较小,应力分布比较均匀.
溅射硅基铜膜厚度与应力关系研究
【摘 要】
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采用光学相移法,对不同厚度硅基铜膜在特定退火温度(200 ℃)下的应力变化进行了研究.研究表明:膜厚在103～228 nm之间的平均应力和应力差的变化比较小,应力分布比较均匀.
【机 构】
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安徽大学
【出 处】
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真空电子技术
【发表日期】
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2003年3期
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