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用脉冲激光沉积工艺制备了Ba（ZrxTi1-x（x=0．25，0．30简称BZT25和BZT30）介电薄膜。在650℃原位退火10min，薄膜为（111）取向柱状生长的晶粒，取向度分别为0．45和0．75。BZT25和BZT30薄膜的平均晶粒尺寸分别为50nm和60nm．在室温、1MHz和3×10^5V／cm条件下，BZT25的最大εr和调谐率分别达到563和65％，BZT30的最大εr和调谐率分别达到441和57％。薄膜为（111）取向生长，主要是基于薄膜与底电极Pt界面层立方相结构Pt3Ti