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采用ZnS—Sn—CuS作为靶材，利用磁控溅射技术制备了Cu2ZnSnS4（CZST）薄膜材料及太阳电池，重点研究了不同硫化温度对CZTS薄膜质量及太阳电池性能的影响。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）、显微拉曼光谱仪（Raman）和紫外可见分光光度计（UV—Vis）分别表征了不同硫化温度下制备的CZTS薄膜的晶相结构、表面形貌、化学组分、相的纯度和光学性能。结果表明：在580℃下所制备的CZTS薄膜光滑致密、结晶质量好，同时化学组分属于贫铜富锌，而且无其他二次相，禁带