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利用激光干涉测量法,对键合后的硅片表面翘曲进行了检测,统计了表面质量分布,对键合工艺进行筛选,优化工艺参数,表面质量得到很好的保证.
基于激光干涉测量的硅键合工艺分析
【摘 要】
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利用激光干涉测量法,对键合后的硅片表面翘曲进行了检测,统计了表面质量分布,对键合工艺进行筛选,优化工艺参数,表面质量得到很好的保证.
【机 构】
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华中科技大学机械学院微系统研究中心,华中科技大学国家激光重点实验室,华中科技大学机械学院微系统研究中心
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2005年10期
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