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采用一种自对准压缩台面结构制作高速1.55μm DFB激光器.激光器的典型阈值为12mA,单面斜率效率达0.157mW/mA,出光功率大于20mW.由于采用窄条p-InP作为电流阻挡层,因此激光器的寄生电容可降至2.5pF,-3dB调制带宽可达9.1GHz.
1.55μm InGaAsP—MQW自对准压缩台面高速DFB激光器
【摘 要】
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采用一种自对准压缩台面结构制作高速1.55μm DFB激光器.激光器的典型阈值为12mA,单面斜率效率达0.157mW/mA,出光功率大于20mW.由于采用窄条p-InP作为电流阻挡层,因此激光器
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电子国家工艺中心
【出 处】
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高技术通讯
【发表日期】
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2002年2期
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