【摘 要】
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在射频开管器件中,导通电阻和关断电容是衡量射频开管器件优良与否的关键参数。而后段金属连线之间的电容对整体的电容有直接影响。为了减小后段金属连线间的电容,铝互联工艺
【基金项目】
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上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(2015.150223)
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在射频开管器件中,导通电阻和关断电容是衡量射频开管器件优良与否的关键参数。而后段金属连线之间的电容对整体的电容有直接影响。为了减小后段金属连线间的电容,铝互联工艺中一般采用在金属连线间形成空气隙的方法。但随着工艺节点的变小,金属连线最小间距相应随之减小,在金属连线侧壁处很难沉积上保护介质,金属容易从侧壁二氧化硅中移动到空气隙中,引发金属互联短路。以射频开关为例,研究了二氧化硅不同的填充方法,通过分析和实验,对填充材料和填充厚度进行了优化,改善了金属连线最小间距处的侧壁保护,同时使射频器件源漏叉指结构区域大间距金属连线处仍然能保持比较小的寄生电容。
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