【摘 要】
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硅异质结太阳能电池的制作过程中,所有工艺步骤都会影响其性能。通过扫描电镜、反射率、量子效率及少子寿命测试,逐步优化硅异质结太阳能电池的性能。结果表明,单晶硅片钝化的最佳锥体尺寸约为6～9μm。利用高质量的本征氢化非晶硅（a-Si:H）薄膜钝化硅片,获得了超过5 ms的少数载流子寿命。采用大带隙p型a-SiCx:H薄膜替代p型a-Si:H薄膜作为发射层,提高电池在较短波长范围内的光响应。通过降低铟锡
【基金项目】
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National Natural Science Foundation of China（No. U180110）； Science and Technology Innovation Project of Shanxi Province（No. 2019L0850）； Scientific Research Projec
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硅异质结太阳能电池的制作过程中,所有工艺步骤都会影响其性能。通过扫描电镜、反射率、量子效率及少子寿命测试,逐步优化硅异质结太阳能电池的性能。结果表明,单晶硅片钝化的最佳锥体尺寸约为6～9μm。利用高质量的本征氢化非晶硅（a-Si:H）薄膜钝化硅片,获得了超过5 ms的少数载流子寿命。采用大带隙p型a-SiCx:H薄膜替代p型a-Si:H薄膜作为发射层,提高电池在较短波长范围内的光响应。通过降低铟锡氧化物的自由载流子吸收,显著改善了长波长区域光响应。综合优化后硅异质结太阳能电池功率转换效率达到21.68%。
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