CMOSIC中浮置栅缺陷的电气模型:I_(DDQ)测试的意义

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CMOSIC中浮置栅缺陷的电气模型:I_(DDQ)测试的意义=ElectricalmodelofthefloatinggatedefectinCMOSIC's:implicationsonI_(DDQ)testing[刊,英]/ChampecV.H.... Electrical model of floating gate defects in CMOSIC: Significance of the I_ (DDQ) test = ElectricalmodelofthefloatinggatedefectinCMOSIC’s: implicationsonI_ (DDQ) testing [Journal of English] / ChampecV. H. ...
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