GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sanlyye

【摘要】

：

在SIMOX SOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGe on insulator)样品，并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为．用Raman，DCXRD，RBS和光学显微镜等分析

【作者】

：

刘超高兴国李建平曾一平李晋闽

【机构】

：

中国科学院半导体研究所材料中心,中国科学院半导体研究所材料中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

：

MBE 绝缘体上硅锗退火行为 MBE SGOI annealing behavior

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

在SIMOX SOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGe on insulator)样品，并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为．用Raman，DCXRD，RBS和光学显微镜等分析手段对SGOI样品在退火前后的性能进行了表征．分析结果表明：SGOI样品表面的穿透位错密度约为5×10^5cm^-2；高温退火处理可以促进SGOI样品中异质外延生长SiGe合金薄膜的弛豫化和超薄Si夹层向SiGe合金薄膜的转化，进一步提高SiGe薄膜的晶体质量，并且有助于获得高G

其他文献

煤炭加工装置热交换设备的防腐

阐述煤炭加工装置的热交换设备的腐蚀机理、防腐对策,介绍了几种具有良好防腐效果的涂料、合金镀层及其施工方法。

期刊

煤炭气化换热器腐蚀机理腐蚀介质防腐处理防腐涂料

塔山选煤厂扩能改造技术与实践

介绍了塔山选煤厂煤质特征以及原选煤工艺流程;分析了原煤系统、主洗系统及煤泥水处理系统各设备的处理能力;为了将原煤处理能力由15.00 Mt/a提高到16.0 Mt/a,对部分设备进行

期刊

选煤厂煤质工艺流程扩能改造

微腔调制常温Ge量子点光致发光特性

报道了微腔对Ge量子点常温光致发光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光致发光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有

期刊

微腔光致发光GE量子点调制

淮南矿区原煤筛分技术应用实践

介绍了淮南矿区原煤筛分技术的发展情况,对比分析了香蕉筛、博后筛、弛张筛等筛分设备的运行特点和性能指标,结果表明,弛张筛以其低能耗、低噪音、高振动强度、筛面能自清理

期刊

选煤厂原煤分级等厚筛香蕉筛弛张筛性能指标

X波段PHEMT功率单片放大器

报道了X波段8WAlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMTMMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4·5mm×3mm.测试结果显示,在7·5V和1·

期刊

PHEMTX波段MMIC功率放大器

柱型量子点中弱耦合磁极化子的激发态性质

应用线性组合算符和幺正变换研究了在量子阱和抛物势作用下的柱型量子点中弱耦合磁极化子的性质．对AgBr量子点的数值计算表明：量子点中磁极化子的基态能量、激发态能量以及激发

期刊

量子点磁极化子特征频率量子阱quantum dot magnetopolaron characteristic frequency quantum

GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为

其他学术论文