论文部分内容阅读
利用激光脉冲沉积(PLD)方法制备了沉积于硅基片上的掺杂过渡金属的非晶碳膜结构Fex-C1-x/Si。Fex-C1-x/Si的磁电阻(MR)可正可负,随温度而变化。当温度T〈258K时,Fe0.011-C0.989/Si的MR为负值;当258K〈T〈340K时,该材料的MR为正值,在室温磁场为1T时,该材料的正MR可以大于20%。且在不同的温度范围中,该材料的MR和外加磁场的依存关系呈现出不同的特点:在T=280和300K时,当磁场小于1T时,MR随磁场的增加而快速增加,之后随磁场的继续增加MR增加开始变