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采用扫描电容显微镜分析了平面型PIN In(0.52)Al(0.48)As/In(0.53)Ga(0.47)As/In(0.52)Al(0.48)As短波红外探测器盲元产生的原因,利用半导体器件仿真工具Sentaurus TCAD对探测器中的盲元特性进行了模拟,并利用制备的Au/P-In(0.52)Al(0.48)As传输线结构芯片对P电极的欧姆接触进行优化.研究结果表明,P电极与扩散区外的N^--In(0.52)Al(0.48)As帽层形成导电通道导致了盲元的产生,优化后Au与P-In(0.52)Al(