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采用化学水浴法在聚酰亚胺（PI）衬底上沉积铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳电池的缓冲层Cd S薄膜。研究了反应溶液浓度和沉积时间对大面积Cd S薄膜表面形貌和晶体结构的影响,优化了化学水浴沉积大面积Cd S薄膜工艺。采用5×10-3mol/L的（CH3COO）2Cd、0.05 mol/L的SC（NH2）2、1.5×10-2mol/L的CH3COONH4、6.5×10-3mol/L的NH3·H2O配置的反应溶液,75℃恒温水浴,沉积时间10 min作为工艺条件,在CIGS