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氮化膜电阻現正在实驗室內發展阶段,它特别适用于軍用电子器件,航空电子器件,半导体线路及其他需要小型,高度稳定性及低溫度系数的电阻之处。氮化物金屬膜电阻的簡單制造工艺过程,是在真空內將金屬銘或銘钛合金蒸發到瓷質基体上,然后在1000—1250℃高温下在氨气內滲氮,最后放在空气內加热至225℃ 48小时,使其稳定。电阻上刻螺紋槽至所需阻值,二端加金屬帽銲接接头及加塗保护層和制造其他膜