【摘 要】
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使用两步水热法在泡沫镍表面生长NiCo2S4纳米管阵列,再通过电化学聚合技术将聚吡咯包覆在NiCo2S4纳米管表面形成核壳式复合材料。通过多种手段表征复合材料的物相与微结构,表
【机 构】
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张家口职业技术学院,浙江理工大学机控学院
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使用两步水热法在泡沫镍表面生长NiCo2S4纳米管阵列,再通过电化学聚合技术将聚吡咯包覆在NiCo2S4纳米管表面形成核壳式复合材料。通过多种手段表征复合材料的物相与微结构,表明管外径约130nm,管壁厚约15nm,聚吡咯包覆膜平均厚度约8nm。研究聚吡咯包覆对NiCo2S4纳米管赝电容性能的影响,揭示聚吡咯改善了NiCo2S4纳米管的比电容、充放电性能、倍率性能和循环性能。放电比容量与未包覆的相比从1123F·g^-1增长到1524F·g^-1,增加了36%;3000次循环后,聚吡咯
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