Cadence宣布推出基于台积电16nm FinFET制程DDR4 PHY IP

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2014年5月20日,全球电子设计企业Cadence设计系统公司宣布,立即推出基于台积电16 nm FinFET制程的DDR4 PHY IP(知识产权)。16 nm技术与Cadence创新的架构相结合,可帮助客户达到DDR4标准的最高性能,亦即达到3 200 Mb/s的级别,相比之下,目前无论DDR3还是DDR4技术,最高也只能达到2 133 Mb/s的性能。通过该技术,需要高内存带宽的服务器、网络交换、存储器结构和其他片上系统 On May 20, 2014, Cadence Design Systems, a global electronics design company, announced immediate availability of DDR4 PHY IP (intellectual property) based on TSMC’s 16 nm FinFET process. The combination of 16 nm technology and Cadence’s innovative architecture enables customers to reach the highest DDR3 performance of 3,200 Mb / s, compared to DDR2 or DDR4 up to 2 133 Mb / s performance. With this technology, servers that require high memory bandwidth, network switching, memory fabric, and other system-on-chip
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