【摘 要】
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采用磁控溅射方法在普通载玻片衬底上制备了Ga掺杂的ZnO（GZO）透明导电薄膜,并研究了不同生长温度对GZO透明导电薄膜的结构性能、电学性能及光学性能的影响.制备的GZO透明导电薄
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（51302021）湖南省教育厅基金项目（13C1025）
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采用磁控溅射方法在普通载玻片衬底上制备了Ga掺杂的ZnO（GZO）透明导电薄膜,并研究了不同生长温度对GZO透明导电薄膜的结构性能、电学性能及光学性能的影响.制备的GZO透明导电薄膜均沿（002）方向的择优取向生长,薄膜的表面形貌为蠕虫状,表明薄膜内存在较大的残余应力.随着生长温度的升高,GZO薄膜的电阻率先减小后增大,在生长温度为250℃时,薄膜的最低电阻率为1.91×10-3 Ωcm.不同生长温度下所制备的GZO薄膜在可见光波段的平均透过率均大于90％,薄膜具有优异的光学特性.
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