论文部分内容阅读
对比惠普实验室提出的忆阻物理模型,采用压控型双曲函数忆阻模型在Simulink环境下实现双端建模,并通过仿真验证了模型的正确性。同时讨论了模型中控制参数对电流电压迟滞曲线特性的影响,通过改变控制参数,此忆阻模型可以适用于在高频环境下与其它器件结合组成忆阻应用电路中,开阔了忆阻的应用范围,为忆阻实现具体的应用提供了模型基础。