【摘 要】
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阴极阵列形貌是影响场致发射材料发光性能的关键因素。以Czochralski（Cz）法制备的Si-TaSi2共晶复合材料为场发射阴极材料，采用湿法腐蚀制备Si基TaSi2尖锥型场发射阴极阵列。通过
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室
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阴极阵列形貌是影响场致发射材料发光性能的关键因素。以Czochralski（Cz）法制备的Si-TaSi2共晶复合材料为场发射阴极材料，采用湿法腐蚀制备Si基TaSi2尖锥型场发射阴极阵列。通过调整腐蚀液配比、腐蚀时间和腐蚀液温度，研究了不同腐蚀条件对si基TaSi2尖锥形貌及阴极阵列制备的影响，获得了Si基TaSi2尖锥阴极阵列的最佳制备工艺，并对其场发射性能进行了测试。结果表明：在室温17℃，腐蚀液配比口（HF）：v（HNO3）=1：4，腐蚀时间15min下得到了高长径比的TaSi2尖锥，阵列具有较好
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