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利用了平面结击穿电压的归一化表达式，研究了终端带单一场环的P+N结击穿电压特性，通过解峰值电场方程，给出了确定主结与单浮场环最佳间距的简便方法，得到了在未穿通情况下，具有单场保护环平面结终端优化设计的理论公式 .
终端带单一场环的P＋N结击电压分析
【摘 要】
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利用了平面结击穿电压的归一化表达式，研究了终端带单一场环的P+N结击穿电压特性，通过解峰值电场方程，给出了确定主结与单浮场环最佳间距的简便方法，得到了在未穿通情况下，具有单
【机 构】
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辽宁大学物理系
【出 处】
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辽宁大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2001年2期
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