【摘 要】
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为生长多层半导体,如Al_xGa_(1-x)As-GaAs双异质结构层,研究了一种新的液相外延生长方法。这种方法有两个特点:一是附加GaAl蒸气到生长气氛中;另一是用新舟结构使多层液相外
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为生长多层半导体,如Al_xGa_(1-x)As-GaAs双异质结构层,研究了一种新的液相外延生长方法。这种方法有两个特点:一是附加GaAl蒸气到生长气氛中;另一是用新舟结构使多层液相外延生长能在不摩擦生长熔体的情况下进行。用这种方法生长的双异质结片在整个片子上(10×12毫米)都是十分均匀的,这意味着它的每一部分都适于制作长寿命的激光器。由同一片子制作的激光器起始电流分散程度不超过±10％。
In order to grow multi-layer semiconductors such as Al_xGa_ (1-x) As-GaAs double heterostructure layer, a new method of liquid-phase epitaxial growth has been studied. This method has two characteristics: one is to add GaAl vapor to the growth atmosphere; the other is to use the new boat structure so that multi-layer liquid phase epitaxial growth can be carried out without friction melt growth. Double heterostructures grown in this way are very uniform across the entire film (10x12 mm), meaning that every part of it is suitable for making long-life lasers. The laser starting current produced by the same film does not spread more than ± 10%.
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