旋转Y切测定La3Ga5SiO14晶体的压电性能及分析

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【摘要】

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通过选择合适的晶体切型利用谐振法只测量(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片的相关参数就得到了La3Ga5SiOi4晶体较为准确的压电参数.其中La3Ga5SiOi4晶体的d11和d14分别为5.59

【作者】

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赵明磊王增梅袁多荣王矜奉王春雷王渊旭王晓颖

【机构】

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山东大学

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2004年z1期

【关键词】

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LGS晶体旋转Y切压电常数

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目(50372034),山东省自然科学基金资助项目(Z2003F04)

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通过选择合适的晶体切型利用谐振法只测量(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片的相关参数就得到了La3Ga5SiOi4晶体较为准确的压电参数.其中La3Ga5SiOi4晶体的d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.(yx1)-30°切La3Ga5SiO14晶片具有较大的机电耦合系数k26≈13%和较大的机械品质因数Qm≈10000.

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