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通过二维器件模拟软件MEDICI对小尺寸硅SRAM单元SEU特性进行了分析。在阱内外碰撞时,当耦合电阻,NMOS阱深等因素变化时,SRAM单元的SEU特性将发生变化,器件阱外碰撞一直比阱内碰撞时对SEU敏感。参数变化过程中对阱内外碰撞时器件SEU敏感性的影响情况不同,器件阱外碰撞时参数变化对SEU特性影响较小,但器件阱内碰撞时参数变化对SEU特性影响较大。