【摘 要】
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日前,瑞萨科技公司发布了HAT1125H、30V击穿电压P沟道功率MOSFET,它具有非常低的导通电阻(2.7mΩ),可用于笔记本电脑和类似产品的电源管理开关和锂离子电池充电/放电控制。
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日前,瑞萨科技公司发布了HAT1125H、30V击穿电压P沟道功率MOSFET,它具有非常低的导通电阻(2.7mΩ),可用于笔记本电脑和类似产品的电源管理开关和锂离子电池充电/放电控制。与瑞萨科技以前的产品相比,HAT1125H的导通电阻大约减小了25%,是导通电阻
Recently, Renesas Technology released the HAT1125H, 30V breakdown voltage P-channel power MOSFET with a very low on-resistance (2.7mΩ) for power management switches and Li-Ion battery charging / discharging in notebook PCs and similar products. Discharge control. Compared with the previous products Renesas Technology, HAT1125H on-resistance decreased by about 25%, is on-resistance
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