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采用溶胶-凝胶（sol-gel）法制备Ni控制掺杂的InVO4可见光催化剂薄膜。通过X射线衍射分析、差热-热重分析确定InVO4晶体结构及合成工艺；采用UV-vis分光光度计测定了薄膜的光吸收特性；利用电化学工作站研究了薄膜的光电化学特性；并通过亚甲基蓝溶液在可见光照射下的催化降解脱色率来表征薄膜的催化活性。实验结果表明：InVO4的晶型转化温度约为500℃；InVO4的光吸收在可见光范围；光电流谱显示Ni底层控制掺杂InVO4的信号明显增强，催化活性明显增强，而均匀掺杂的光电流信号减弱，催化活性降低。最